文部科学省科学研究費補助金「新学術領域研究」３次元半導体検出器で切り拓く新たな量子イメージングの展開

本領域研究「３次元半導体検出器で切り拓く新たな量子イメージングの展開」（平成25～29年度）では革新的な半導体技術－SOI－を使った検出器を通じて量子イメージング原理を革新し、素核・宇宙・物質・生命科学のフロンティアを開拓することを目的としています。　

Silicon-On-Insulator (SOI)積層ウエハー技術を用い、センサーと読み出し回路とを３次元的に一体化させた半導体検出器をコア技術として、量子イメージング検出器を開発し、さらにSOIの持つ２つの活性層を活かした新機能素子の実現も目指しています。これにより、様々な量子ビーム（光、赤外線、X線、電子線、荷電粒子等）に対する高度な量子イメージング測定技術を発展させて、マイクロエレクトロニクスとセンサーを一体化したSOI検出器について学術的興味を持つ研究者と、既存のイメージング装置に限界を感じていた多分野の研究者が連携する事により、新たな量子イメージングの領域の展開を図っていきます。

(本研究はMEXT科研費 新学術領域研究 25109001の助成を受けたものです。
 This work was supported by MEXT KAKENHI Grant-in-Aid for Scientific Research on Innovative Areas 25109001.)

 2021.6 .9 SOIPIX開発でも活躍している筑波大学の原和彦准教授（写真右から２番目）が「素粒子実験半導体センターの発展とその社会貢献」で 文部科学大臣表彰「科学技術賞」受賞しました。

2018.2.13 公益財団法人 高エネルギー加速器科学研究奨励会より、初井宇記（理研）が「SOI技術を用いた広ダイナミック・レンジX線イメージセンサーの開発」で小柴賞を、新井康夫、倉知郁生（KEK）が「SOI技術を使った革新的ビクセルセンサーの実現」で諏訪賞をそれぞれ受賞しました。

2017.12.11-15 International Workshop on SOI Detector (HSTD11 & SOIPIX2017)