領域概要
本領域研究では革新的な半導体技術－SOI－を使った検出器を通じて新たな量子イメージング原理を確立し、素核・宇宙・物質・生命科学のフロンティアを開拓する。ここではSilicon-On-Insulator (SOI)積層ウエハー技術を用いて、センサーと読み出し回路とを３次元的に一体化させた半導体検出器をコア技術とし、量子イメージング検出器を開発する。さらにSOIの持つ２つの活性層を活かした新機能素子の実現も目指す。これにより、様々な量子ビーム（光、赤外線、X線、電子線、荷電粒子等）に対する高度な量子イメージング測定技術を発展させる。マイクロエレクトロニクスとセンサーを一体化したSOI検出器について学術的興味を持つ研究者と、既存のイメージング装置に限界を感じていた多分野の研究者が連携する事により、新たな量子イメージングの領域の展開を図る。
