文部科学省科学研究費補助金「新学術領域研究」３次元半導体検出器で切り拓く新たな量子イメージングの展開

A01班

新着情報

    記事はありません。

A01班： SOI ３次元ピクセルプロセスの研究

本計画研究はこの領域のコアとなる研究のひとつで、Silicon-On-Insulator (SOI)基板を用い、センサーとLSI回路とを３次元的に一体化させた量子イメージングデバイス用半導体プロセス開発を目的とする。同時にこのプロセスを用い、多数の設計を載せたMulti Project Wafer (MPW)ランを主催し、各計画研究で必要とする検出器開発の為の機会を提供する役割も担う。 さらにSi貫通ビア(TSV)や３次元実装技術等を駆使し、より高機能・高精細なピクセル検出器の実現を目指す。

3D SOI Detector

回路層を３次元集積化したSOI検出器構造案

メンバー

研究代表：新井　康夫
高エネルギー加速器研究機構、素粒子原子核研究所
教授
高エネルギー物理実験
理学博士
研究取りまとめ
http://research.kek.jp/people/araiy/

研究分担者：三好　敏喜
高エネルギー加速器研究機構、素粒子原子核研究所
助教
高エネルギー物理実験
理学博士
プロセス試作

研究分担者：井田　次郎
金沢工業大学、工学部
教授
電子デバイス・集積回路
工学博士
プロセス評価
http://j-ida.kit.labos.ac/ja

その他メンバー
瀧 久幸
金沢工業大学、工学部
学部４年 （大学院進学予定）

論文等

  • SOI Pixel Detector Publications
  • Y. Arai,“Advanced Radiation Image Sensors with SOI technology”, *Y. Arai, 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012), Sep. 25-27, 2012, Kyoto International Conference Center, Kyoto, Japan. Proceedings, J-1-1, pp. 1107-1108.[招待講演]
  • “Monolithic pixel detectors with 0.2 um FD-SOI pixel process technology”, *T. Miyoshi, Y. Arai, et al., Nucl. Instr. And Meth. A, Vol. 732 (2013) pp. 530-534.
  • Ryo Umesao, Jiro Ida, Kouta Kawabata, SouTashino, Keisuke Noguchi, Kenji Itoh; “High Efficiency Rectification by SOI based Gate Controlled Diode for RF Energy Harvesting”, 2013 IEEE Wireless Power Transfer Conference (WPTC), pp88-91, 15-16 May, "Aula Magna" of the University for foreigners ("Università) Perugia, Italy
  • 森 貴之,井田 次郎：“SOI構造における急峻なサブスレッショルド特性の解析” 電子情報通信学会技術研究報告、信学技報 Vol.113, No.172, pp1-6, 2013
  • “Performance Study of SOI Monolithic Pixel Detectors for X-ray Application”, *T. Miyoshi, Y. Arai, M. Hirose, R. Ichimiya, Y. Ikemoto, T. Kohriki, T. Tsuboyama, Y. Unno, Nucl. Instr. And Meth. A, Vol. 636 (2011) pp. S237-S241.
  • J. Ida, “Status of Fully Depleted (FD) SOI Technology and Prospect of New Super Steep Cut Off FETs for Ultra Low Power and Harsh Applications (Invited)”, *J. Ida, The 9th International System-on-Chip (SoC) Conference, Exhibit, and Workshops, Nov. 2011.
  • Y. Arai, T. Miyoshi, et al., "Developments of SOI Monolithic Pixel Detectors" , Nucl. Instr. and Meth. A 623 (2010), pp. 186-188.
  • Yasuo Arai and Toshinobu Miyoshi, “Silicon-on-insulator technology enables nest-generation radiation image sensors”, SPIE Newsroom, 5 Aug. 2009, DOI: 10.1117/2.1200907.1725.