C02班の理研は、兵庫県立大学、ラピスセミコンダクタ社と共同でX線イメージセンサー開発で必須となるウェハレベル高速X線損傷診断法を開発しました。
この方法はウェハ1枚に搭載した1万個のトランジスタを高速に評価できる手法です。従来の手法に比べ少なくとも300倍の効率を実現しており、今後の先端X線イメージセンサ開発において重要な基盤技術となります。
Togo Kudo, Kazuo Kobayashi, Shun Ono, Takeo Watanabe, Hiroo Kinoshita,Masao Okihara, and Takaki Hatsui, et.al, "Development of Experimental Methodology for Highly Efficient Wafer-Level valuation of X-Ray Radiation Effects on Semiconductor Devices",IEEE Transactions on Nuclear Science,Vol.61,Issue 3,pp1444-pp1450,(2014)